Alle IGBT. GT50M101 Datenblatt

 

GT50M101 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: GT50M101

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 900V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 5V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 400

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO264

Ersatz (vergleichstyp) für GT50M101 Transistor

 

GT50M101 Datasheet (PDF)

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