Alle IGBT. BT50N60ANF Datenblatt

 

BT50N60ANF . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: BT50N60ANF

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 312

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.5

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 49

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 175

Transistorgehäuse: TO3PN

Ersatz (vergleichstyp) für BT50N60ANF Transistor

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BT50N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

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BT50N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

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