Alle IGBT. IXYA50N65C3 Datenblatt

 

IXYA50N65C3 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXYA50N65C3

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 600

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 650

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 132

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 175

Anstiegszeit: 36

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 135

Transistorgehäuse: TO263

Ersatz (vergleichstyp) für IXYA50N65C3 Transistor

 

IXYA50N65C3 Datasheet (PDF)

1.1. ixya50n65c3.pdf Size:271K _igbt_a

IXYA50N65C3
IXYA50N65C3

Preliminary Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA50N65C3 GenX3TM IC110 = 50A IXYP50N65C3   VCE(sat)    2.10V     IXYH50N65C3 tfi(typ) = 26ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25°C to 175°

Anderen IGBT... IXXR100N60B3H1 , IXXR110N60B4H1 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IRGP4062D , IXYF30N450 , IXYF40N450 , IXA20PT1200LB , IXA20RG1200DHGLB , IXA220I650NA , IXA30RG1200DHGLB , IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB .

 


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