Alle IGBT. SKM75GB176D Datenblatt

 

SKM75GB176D . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SKM75GB176D

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1700

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 80

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 30

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 180

Transistorgehäuse: MODULE

Ersatz (vergleichstyp) für SKM75GB176D Transistor

 

SKM75GB176D Datasheet (PDF)

1.1. skm75gb173d.pdf Size:545K _igbt

SKM75GB176D
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1.2. skm75gb176d.pdf Size:744K _igbt

SKM75GB176D
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2.1. skm75gb123d.pdf Size:538K _igbt

SKM75GB176D
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2.2. skm75gb12v.pdf Size:489K _igbt

SKM75GB176D
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SKM75GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25°C 1200 V IC Tc =25°C 114 A Tj = 175 °C Tc =80°C 87 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS® 2 tpsc VGE ≤ 20 V Tj =125°C 10 µs VCES ≤ 1200 V Tj -40 ... 175 °C Inverse diode IF Tc =25°C 97 A Tj = 175 °C SKM75GB12V Tc =80°C 73 A IFnom 75 A

2.3. skm75gb12t4.pdf Size:456K _igbt

SKM75GB176D
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SKM75GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25°C 115 A Tj = 175 °C Tc =80°C 88 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS®2 tpsc VGE ≤ 15 V Tj = 150 °C 10 µs VCES ≤ 1200 V Tj -40 ... 175 °C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25°C 97 A Tj = 175 °C SKM75GB12T4 Tc =80°C 73 A

Anderen IGBT... SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , IXGH40N60C2D1 , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP .

 


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