Alle IGBT. IXSX50N60BU1 Datenblatt

 

IXSX50N60BU1 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXSX50N60BU1

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 300W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.5V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20V

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 75A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 70

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 3850pF

Transistorgehäuse: PLUS247

Ersatz (vergleichstyp) für IXSX50N60BU1 Transistor

 

IXSX50N60BU1 Datasheet (PDF)

1.1. ixsx50n60bd1.pdf Size:98K _igbt_a

IXSX50N60BU1
IXSX50N60BU1

IGBT with Diode IXSK 50N60BD1 VCES = 600 V IXSX 50N60BD1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability PLUS247 (IXSX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V C E VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous ±20 V TO-264 AA (IXSK) VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90°C50 A

1.2. ixsx50n60bu1.pdf Size:142K _igbt_a

IXSX50N60BU1
IXSX50N60BU1

IGBT with Diode IXSK 50N60BU1 VCES = 600 V IXSX 50N60BU1 IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability PLUS247 (IXSX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) G VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V C E VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW 600 V TO-264 AA VGES Continuous ±20 V (IXSK) VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C, limited by leads 75 A IC90 TC = 90°C50 A

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