Alle IGBT. MID200-12A4 Datenblatt

 

MID200-12A4 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: MID200-12A4

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1200V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 3V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 200A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit:

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: INT-A-PAK

Ersatz (vergleichstyp) für MID200-12A4 Transistor

 

MID200-12A4 Datasheet (PDF)

1.1. mid200-12a4.pdf Size:113K _igbt

MID200-12A4
MID200-12A4

MII 200-12 A4 MID 200-12 A4 MDI 200-12 A4 IC25 = 270 A IGBT Modules VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 3 MII MID MDI 2 11 3 3 3 1 10 9 8 8 8 1 1 1 9 9 11 11 2 2 2 10 10 E 72873 Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT IGBT technology low saturation voltage VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V low switching losses VCGR

Anderen IGBT... MGW21N60ED , MGW30N60 , MGY20N120D , MGY25N120 , MGY25N120D , MID100-12A3 , MID145-12A3 , MID150-12A4 , 1MBH50D-060 , MID300-12A4 , MID550-12A4 , MID75-12A3 , MMG05N60D , MSAGX60F60A , MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B .

 


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