Alle IGBT. MSAHX60F60B Datenblatt

 

MSAHX60F60B . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: MSAHX60F60B

Kanaltyp: P-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 300W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.9V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20V

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 60A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 25

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 2500pF

Transistorgehäuse: SMD-P

Ersatz (vergleichstyp) für MSAHX60F60B Transistor

 

MSAHX60F60B Datasheet (PDF)

1.1. msahx60f60a.pdf Size:35K _igbt

MSAHX60F60B
MSAHX60F60B

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 MSAGX60F60A FAX: (714) 966-5256 MSAHX60F60A Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof 60 Amps • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance 2.9 Volts vce(sat) • Very low thermal resistance • Reverse polarity availa

5.1. msahx75l60c.pdf Size:34K _igbt

MSAHX60F60B
MSAHX60F60B

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH: (714) 979-8220 FAX: (714) 966-5256 MSAHX75L60C Features 600 Volts • Rugged polysilicon gate cell structure 75 Amps • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed, surface mount power package 1.8 Volts vce(sat) • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon reque

Anderen IGBT... MSAGX60F60B , MSAGX75F60A , MSAGX75F60B , MSAGX75L60A , MSAGX75L60B , MSAGZ52F120A , MSAGZ52F120B , MSAHX60F60A , STGB10NB37LZ , MSAHX75L60C , MSAHX75L60D , MSAHZ52F120A , MSAHZ52F120B , NTE3311 , NTE3312 , NTE3320 , NTE3321 .

 


MSAHX60F60B
  MSAHX60F60B
  MSAHX60F60B
  MSAHX60F60B
 
MSAHX60F60B
  MSAHX60F60B
  MSAHX60F60B
 

social 

Liste

Letztes Update

IGBT IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB | IGC70T120T6RL | SIGC05T60SNC |