Alle IGBT. RCH10N35 Datenblatt

 

RCH10N35 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RCH10N35

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 75W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 350V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 4.5V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 10A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 175

Anstiegszeit: 100

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 800pF

Transistorgehäuse: TO218

Ersatz (vergleichstyp) für RCH10N35 Transistor

 

RCH10N35 Datasheet (PDF)

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RCH10N35
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