Alle IGBT. SGL30N60RUFD Datenblatt

 

SGL30N60RUFD . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SGL30N60RUFD

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 30A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 80

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO264

Ersatz (vergleichstyp) für SGL30N60RUFD Transistor

 

SGL30N60RUFD Datasheet (PDF)

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