Alle IGBT. SGR6N60UF Datenblatt

 

SGR6N60UF . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SGR6N60UF

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 3A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 80

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: DPAK

Ersatz (vergleichstyp) für SGR6N60UF Transistor

 

SGR6N60UF Datasheet (PDF)

1.1. sgr6n60uf.pdf Size:544K _fairchild_semi

SGR6N60UF

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