Alle IGBT. SGS5N60RUFD Datenblatt

 

SGS5N60RUFD . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SGS5N60RUFD

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 5A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 140

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO220F

Ersatz (vergleichstyp) für SGS5N60RUFD Transistor

 

SGS5N60RUFD Datasheet (PDF)

1.1. sgs5n60rufd.pdf Size:614K _fairchild_semi

SGS5N60RUFD

5.1. sgs5n150uf.pdf Size:289K _fairchild_semi

SGS5N60RUFD

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