Alle IGBT. SKM145GAL174DN Datenblatt

 

SKM145GAL174DN . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SKM145GAL174DN

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 860W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1700V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 3.2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 145A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit:

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse:

Ersatz (vergleichstyp) für SKM145GAL174DN Transistor

 

SKM145GAL174DN Datasheet (PDF)

1.1. skm145gal176d.pdf Size:798K _igbt

SKM145GAL174DN
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1.2. skm145gal123d.pdf Size:644K _igbt

SKM145GAL174DN
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3.1. skm145gb066d.pdf Size:767K _igbt

SKM145GAL174DN
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3.2. skm145gb176d.pdf Size:798K _igbt

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3.3. skm145gb123d.pdf Size:644K _igbt

SKM145GAL174DN
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