Alle MOSFET. IPP200N25N3G Datenblatt

 

IPP200N25N3G MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: IPP200N25N3G

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 300 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 250 V

Maximaler Drainstrom (Id): 64 A

Gate-Ladung (Qg): 64 nC

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.02 Ohm

Transistorgehäuse: TO220

Ersatz (vergleichstyp) für IPP200N25N3G Transistor

 

IPP200N25N3G Datasheet (PDF)

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