Alle MOSFET. AUIRFSL4227 Datenblatt

 

AUIRFSL4227 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: AUIRFSL4227

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 330 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 62 A

Gate-Ladung (Qg): 70 nC

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.026 Ohm

Transistorgehäuse: TO262

Ersatz (vergleichstyp) für AUIRFSL4227 Transistor

 

AUIRFSL4227 Datasheet (PDF)

5.1. auirf5210s.pdf Size:236K _international_rectifier

AUIRFSL4227
AUIRFSL4227

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

Anderen MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 
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