Alle MOSFET. AUIRFSL4310 Datenblatt

 

AUIRFSL4310 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: AUIRFSL4310

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 300 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Maximaler Drainstrom (Id): 130 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 0.007 Ohm

Transistorgehäuse: TO262

Ersatz (vergleichstyp) für AUIRFSL4310 Transistor

 

AUIRFSL4310 Datasheet (PDF)

5.1. auirf5210s.pdf Size:236K _international_rectifier

AUIRFSL4310
AUIRFSL4310

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

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