Alle MOSFET. 2P524A9 Datenblatt

 

2P524A9 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: 2P524A9

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 1 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 10 V

Maximaler Drainstrom (Id): 1.4 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 100 °C

Ausgangswiderstand RDS(on): 1 Ohm

Transistorgehäuse: KT991

Ersatz (vergleichstyp) für 2P524A9 Transistor

 

2P524A9 Datasheet (PDF)

5.1. 2p524.pdf Size:215K _integral

2P524A9
2P524A9

2П524 N-канальный МОП транзистор Назначение 2П524 - кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для и

Anderen MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 
Back to Top