Alle MOSFET. 2P7172A Datenblatt

 

2P7172A MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: 2P7172A

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 30 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 125 °C

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.05 Ohm

Transistorgehäuse: KT97V

Ersatz (vergleichstyp) für 2P7172A Transistor

 

2P7172A Datasheet (PDF)

4.1. 2p7172.pdf Size:350K _integral

2P7172A
2P7172A

2П7172 полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Назначение Кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канал

Anderen MOSFET... 2P771A , 2P771A91 , 2P771A-5 , 2P771A-6 , 2P7145A-IM , 2P7145A-5-IM , 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , IRF5305 , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 .

 
Back to Top

 


2P7172A
  2P7172A
  2P7172A
  2P7172A
 

social 

Liste

Letztes Update

MOSFET: RJL6013DPP | RJL6012DPP | RJL5014DPP | RJL5013DPP | RJL5012DPP | RJK6036DP3-A0 | RJK6032DPH-E0 | RJK6025DPH-E0 | RJK6024DP3-A0 | RJK6013DPP-E0 | RJK6002DPH-E0 | RJK6002DJE | RJK5032DPH-E0 | RJK5032DPD | RJK5014DPP-E0 |

 

 

 
Back to Top