Alle MOSFET. PT8822 Datenblatt

 

PT8822 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: PT8822

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 2 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 20 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 12 V

Maximaler Drainstrom (Id): 7 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 6 nS

Drain-Kapazität (Cd): 126 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.024 Ohm

Transistorgehäuse: TSSOP8

Ersatz (vergleichstyp) für PT8822 Transistor

 

 

PT8822 Datasheet (PDF)

1.1. pt8822.pdf Size:2155K _htsemi

PT8822
PT8822

PT8822 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m? RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m? RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 Millimet

Anderen MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

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