Alle MOSFET. CED2303 Datenblatt

 

CED2303 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: CED2303

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 33 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 9 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C

Anstiegszeit (tr): 10 nS

Drain-Kapazität (Cd): 90 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.2 Ohm

Transistorgehäuse: TO251

Ersatz (vergleichstyp) für CED2303 Transistor

 

 

CED2303 Datasheet (PDF)

1.1. ced2303 ceu2303.pdf Size:203K _cet

CED2303
CED2303

CED2303/CEU2303 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -9A, RDS(ON) = 200m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 320m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

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