Alle MOSFET. CET4435A Datenblatt

 

CET4435A MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CET4435A

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 3 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 8.8 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 6 nS

Drain-Kapazität (Cd): 550 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.024 Ohm

Transistorgehäuse: SOT223

Ersatz (vergleichstyp) für CET4435A Transistor

 

CET4435A Datasheet (PDF)

1.1. cet4435a.pdf Size:143K _cet

CET4435A
CET4435A

CET4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8.8A, RDS(ON) = 24m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 35m? @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

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