Alle MOSFET. FRF9250H Datenblatt

 

FRF9250H MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: FRF9250H

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 14 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 242 nS

Ausgangswiderstand (Rds): 0.315 Ohm

Transistorgehäuse: TO254AA

Ersatz (vergleichstyp) für FRF9250H Transistor

 

FRF9250H Datasheet (PDF)

3.1. frf9250.pdf Size:47K _intersil

FRF9250H
FRF9250H

FRF9250D, FRF9250R, FRF9250H 14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package • 14A, -200V, RDS(on) = 0.315Ω TO-254AA • Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts • Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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