Alle MOSFET. 12NN10 Datenblatt

 

12NN10 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: 12NN10

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 2 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 2.5 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 7 nS

Drain-Kapazität (Cd): 60 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.15 Ohm

Transistorgehäuse: SOP-8

Ersatz (vergleichstyp) für 12NN10 Transistor

 

12NN10 Datasheet (PDF)

1.1. 12nn10.pdf Size:155K _utc

12NN10
12NN10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m? @

Anderen MOSFET... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

 
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