Alle MOSFET. 2N7061 Datenblatt

 

2N7061 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: 2N7061

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 40 V

Maximaler Drainstrom (Id): 16.5 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Drain-Kapazität (Cd): 2000 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.2 Ohm

Transistorgehäuse: TO218

Ersatz (vergleichstyp) für 2N7061 Transistor

 

 

2N7061 Datasheet (PDF)

5.1. 2n706-a.pdf Size:281K _rca

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