Alle MOSFET. FSW25N50A Datenblatt

 

FSW25N50A MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: FSW25N50A

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 230 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 500 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 25 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 117 nS

Drain-Kapazität (Cd): 410 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.26 Ohm

Transistorgehäuse: TO3PN

Ersatz (vergleichstyp) für FSW25N50A Transistor

 

FSW25N50A Datasheet (PDF)

1.1. fsw25n50a.pdf Size:234K _inpower_semi

FSW25N50A
FSW25N50A

FSW25N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications: • Uninterruptible Power Supply(UPS) VDSS RDS(ON) (Typ.) ID • LCD Panel Power 500V 0.18 Ω 25A • SMPS Power • DC-AC Inverter FSW25N50 • RoHS Compliant • Low ON Resistance • Low Gate Charge • Peak Current vs Pulse Width Curve • ESD Capability Improved G D S Ordering Information PART NU

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