Alle MOSFET. P7006BL Datenblatt

 

P7006BL MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: P7006BL

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 2 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 3.8 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 17.4 nS

Drain-Kapazität (Cd): 62 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.07 Ohm

Transistorgehäuse: SOT223

Ersatz (vergleichstyp) für P7006BL Transistor

 

P7006BL Datasheet (PDF)

1.1. p7006bl.pdf Size:419K _unikc

P7006BL
P7006BL

P7006BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 70mΩ @VGS = 10V 60V 3.8A SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25 ° C 3.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C 3 A IDM 25 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 16

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