Alle MOSFET. PD6A8BA Datenblatt

 

PD6A8BA MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: PD6A8BA

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 73 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 40 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 75 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 12 nS

Drain-Kapazität (Cd): 261 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.0062 Ohm

Transistorgehäuse: TO252

Ersatz (vergleichstyp) für PD6A8BA Transistor

 

PD6A8BA Datasheet (PDF)

1.1. pd6a8ba.pdf Size:513K _unikc

PD6A8BA
PD6A8BA

PD6A8BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6.2mΩ @VGS = 10V 40V 75A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TC = 25 ° C 75 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 ° C 47 A IDM 120 Pulsed Drain Curren

Anderen MOSFET... PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , IRFP4232 , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA .

 


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