Alle MOSFET. PMV185XN Datenblatt

 

PMV185XN MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: PMV185XN

Markierungscode: EH

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.325 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 12 V

Maximaler Drainstrom (Id): 1.2 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 11 nS

Drain-Kapazität (Cd): 30 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.25 Ohm

Transistorgehäuse: SOT23

Ersatz (vergleichstyp) für PMV185XN Transistor

 

PMV185XN Datasheet (PDF)

1.1. pmv185xn.pdf Size:229K _tysemi

PMV185XN
PMV185XN

Product specification PMV185XN 30 V, single N-channel Trench MOSFET 3 August 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits • Low RDSon • Very fast switching • Trench MOSF

Anderen MOSFET... DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , IRFP260N , PMV33UPE , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 .

 


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