Alle MOSFET. PMV33UPE Datenblatt

 

PMV33UPE MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: PMV33UPE

Markierungscode: EJ

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.49 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 20 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 8 V

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 0.95 V

Maximaler Drainstrom (Id): 5.3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 30 nS

Drain-Kapazität (Cd): 208 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.036 Ohm

Transistorgehäuse: SOT23

Ersatz (vergleichstyp) für PMV33UPE Transistor

 

PMV33UPE Datasheet (PDF)

1.1. pmv33upe.pdf Size:348K _tysemi

PMV33UPE
PMV33UPE

Product specification PMV33UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 — 12 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Low threshold voltage  Trench MOSFET

Anderen MOSFET... DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , 2SK2545 , PMV50UPE , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 .

 


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