Alle MOSFET. PMV50UPE Datenblatt

 

PMV50UPE MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: PMV50UPE

Markierungscode: CZ

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.5 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 20 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 8 V

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 0.9 V

Maximaler Drainstrom (Id): 3.7 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 700 nS

Drain-Kapazität (Cd): 106 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.066 Ohm

Transistorgehäuse: SOT23

Ersatz (vergleichstyp) für PMV50UPE Transistor

 

PMV50UPE Datasheet (PDF)

1.1. pmv50upe.pdf Size:361K _tysemi

PMV50UPE
PMV50UPE

Product specification PMV50UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET 20 July 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits • 3 kV ESD protected • Trench MOSFET technology

Anderen MOSFET... DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN , PMV33UPE , IRF9640 , PMV65UN , PMV90EN , QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 , WNM2034 .

 


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