Alle MOSFET. CM10N60AZ Datenblatt

 

CM10N60AZ MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM10N60AZ

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 155 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 600 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 10 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 0.75 Ohm

Transistorgehäuse: TO220A

Ersatz (vergleichstyp) für CM10N60AZ Transistor

 

CM10N60AZ Datasheet (PDF)

1.1. cm10n60az.pdf Size:124K _jdsemi

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R CM10N60AZ 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小

2.1. cm10n60afz.pdf Size:124K _jdsemi

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R C1N0F M06AZ 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2 .主要特点 1 开关速度快 2 通态电阻小,输入电

3.1. cm10n60f.pdf Size:127K _jdsemi

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R CM10N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 1 通态电阻小,输入电容小

3.2. cm10n60.pdf Size:124K _jdsemi

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R CM10N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3

Anderen MOSFET... XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , 2N5485 , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A .

 


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