Alle MOSFET. CM18N20 Datenblatt

 

CM18N20 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM18N20

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 18 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 0.17 Ohm

Transistorgehäuse: TO220A

Ersatz (vergleichstyp) für CM18N20 Transistor

 

CM18N20 Datasheet (PDF)

1.1. cm18n20.pdf Size:122K _jdsemi

CM18N20
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R C1N0 M82 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆200V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于电源、适配器等功率开关电路 2 .主要特点 开关速度快 驱动简单,可并联使用 3 .封装外形 TO-220A 4

5.1. cm18n50f.pdf Size:146K _jdsemi

CM18N20
CM18N20

R CM18N50F 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS

5.2. cm18n50p.pdf Size:124K _jdsemi

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CM18N20

R C1N0 M85P 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于电焊机控制、大功率开关电源 等功率开关电路 2 .主要特点 1 开关速度快 2 驱动简单,可并联使用 3 3

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