Alle MOSFET. CM1N60S Datenblatt

 

CM1N60S MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM1N60S

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 3 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 600 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 0.8 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 15 Ohm

Transistorgehäuse: TO92

Ersatz (vergleichstyp) für CM1N60S Transistor

 

CM1N60S Datasheet (PDF)

1.1. cm1n60s.pdf Size:141K _jdsemi

CM1N60S
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R CM1N60S 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

4.1. cm1n60c.pdf Size:123K _jdsemi

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R C16C MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器等各类开关电路 2 .主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3 .封装外形 TO-251 4 .电特

4.2. cm1n60.pdf Size:120K _jdsemi

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R C16 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于充电器等各类开关电路 2 .主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3 .封装外形 TO-92 4 .电特

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