Alle MOSFET. CM20N60P Datenblatt

 

CM20N60P MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM20N60P

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 250 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 600 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 20 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 0.45 Ohm

Transistorgehäuse: TO3PB

Ersatz (vergleichstyp) für CM20N60P Transistor

 

CM20N60P Datasheet (PDF)

1.1. cm20n60p to3pb.pdf Size:140K _jdsemi

CM20N60P
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R CM20N60P 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS

3.1. cm20n60f.pdf Size:130K _jdsemi

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R CM20N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 1 2 驱动简单,可并联使用 3

3.2. cm20n60.pdf Size:126K _jdsemi

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R CM20N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1.主要用途 主要用于计算机开关电源、大功率充电器 等功率开关电路 2.主要特点 开关速度快 驱动简单,可并联使用 3.封装

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