Alle MOSFET. CM8N80 Datenblatt

 

CM8N80 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM8N80

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 135 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 800 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 8 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 1.25 Ohm

Transistorgehäuse: TO220A

Ersatz (vergleichstyp) für CM8N80 Transistor

 

CM8N80 Datasheet (PDF)

1.1. cm8n80f.pdf Size:124K _jdsemi

CM8N80
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R C88F MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆800V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于高效开关电源、适配器 等功率开关电路 2 .主要特点 开关速度快 1 通态电阻小,输入电容小 2 3 .封装

1.2. cm8n80 to220a.pdf Size:122K _jdsemi

CM8N80
CM8N80

R C88 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆800V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于高效开关电源、适配器 等功率开关电路 2 .主要特点 开关速度快 通态电阻小,输入电容小 3 .封装外形

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