Alle MOSFET. CM9N20 Datenblatt

 

CM9N20 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CM9N20

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 75 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 200 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 9 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Ausgangswiderstand (Rds): 0.4 Ohm

Transistorgehäuse: TO220A

Ersatz (vergleichstyp) für CM9N20 Transistor

 

CM9N20 Datasheet (PDF)

1.1. cm9n20.pdf Size:121K _jdsemi

CM9N20
CM9N20

R C92 MN0 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆200V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 .主要用途 主要用于电源、适配器等功率开关电路 2 .主要特点 开关速度快 驱动简单,可并联使用 3 .封装外形 TO-220A 4 .

Anderen MOSFET... CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F , IRF640N , CM9N90PZ , CS100N03_B4 , CS100N03_B8 , CS100N03F_B9 , CS10N50_A8R , CS10N50F_A9R , CS10N60_A8HD , CS10N60_A8R .

 


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