Alle MOSFET. RFL2N06L Datenblatt

 

RFL2N06L MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL2N06L

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 10 V

Maximaler Drainstrom (Id): 2 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 65 nS

Drain-Kapazität (Cd): 100 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.75 Ohm

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL2N06L Transistor

RFL2N06L 说明书

1.1. rfl2n05l_rfl2n06l_rfp4n05l_rfp4n06l.pdf Size:255K _njs

RFL2N06L
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4.1. rfl2n05_rlf2n06.pdf Size:89K _njs

RFL2N06L
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Anderen MOSFET... RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , IRFZ34N , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP .

 


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