Alle MOSFET. RFL1P10 Datenblatt

 

RFL1P10 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL1P10

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 1 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 15 nS

Drain-Kapazität (Cd): 80 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 3.65 Ohm

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL1P10 Transistor

RFL1P10 PDF doc:

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RFL1P10
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