Alle MOSFET. FQH70N10 Datenblatt

 

FQH70N10 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: FQH70N10

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 214 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 25 V

Maximaler Drainstrom (Id): 70 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 85 nC

Anstiegszeit (tr): 470 nS

Drain-Kapazität (Cd): 720 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.023 Ohm

Transistorgehäuse: TO-247

Ersatz (vergleichstyp) für FQH70N10 Transistor

 

FQH70N10 Datasheet (PDF)

1.1. fqh70n10.pdf Size:666K _fairchild_semi

FQH70N10
FQH70N10

® QFET FQH70N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 70A, 100V, RDS(on) = 0.023Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 150 pF) This advanced technology has been especially tailored to • Fa

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