Alle MOSFET. FQI15P12TU Datenblatt

 

FQI15P12TU MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: FQI15P12TU

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 100 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 120 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 15 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 29 nC

Anstiegszeit (tr): 100 nS

Drain-Kapazität (Cd): 310 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.2 Ohm

Transistorgehäuse: I2-PAK

Ersatz (vergleichstyp) für FQI15P12TU Transistor

 

FQI15P12TU Datasheet (PDF)

1.1. fqi15p12tu.pdf Size:650K _fairchild_semi

FQI15P12TU
FQI15P12TU

® QFET FQB15P12 / FQI15P12 120V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -15A, -120V, RDS(on) = 0.2Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 110 pF) This advanced technology has been especially tailore

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