Alle MOSFET. FQI16N25CTU Datenblatt

 

FQI16N25CTU MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: FQI16N25CTU

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 139 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 250 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 15.6 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 41 nC

Anstiegszeit (tr): 130 nS

Drain-Kapazität (Cd): 170 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.27 Ohm

Transistorgehäuse: I2-PAK

Ersatz (vergleichstyp) für FQI16N25CTU Transistor

 

FQI16N25CTU Datasheet (PDF)

1.1. fqi16n25ctu.pdf Size:761K _fairchild_semi

FQI16N25CTU
FQI16N25CTU

June 2006 ® QFET FQB16N25C/FQI16N25C 250V N-Channel MOSFET Features Description • 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar • Low gate charge ( typical 41nC) stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to • Low Crss ( typica

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