Alle MOSFET. FQI2P25TU Datenblatt

 

FQI2P25TU MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: FQI2P25TU

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 52 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 250 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 2.3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 5 V

Gate-Ladung (Qg): 6.5 nC

Anstiegszeit (tr): 40 nS

Drain-Kapazität (Cd): 40 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 4 Ohm

Transistorgehäuse: I2-PAK

Ersatz (vergleichstyp) für FQI2P25TU Transistor

 

FQI2P25TU Datasheet (PDF)

1.1. fqi2p25tu.pdf Size:559K _fairchild_semi

FQI2P25TU
FQI2P25TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2P25 / FQI2P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technolo

Anderen MOSFET... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

 
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