Alle MOSFET. FQL50N40 Datenblatt

 

FQL50N40 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: FQL50N40

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 460 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 400 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 50 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 5 V

Gate-Ladung (Qg): 160 nC

Anstiegszeit (tr): 510 nS

Drain-Kapazität (Cd): 1000 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.075 Ohm

Transistorgehäuse: TO-264

Ersatz (vergleichstyp) für FQL50N40 Transistor

 

FQL50N40 Datasheet (PDF)

1.1. fql50n40.pdf Size:785K _fairchild_semi

FQL50N40
FQL50N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 50A, 400V, RDS(on) = 0.075Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 160 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 105 pF) This advanced technology has be

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