Alle MOSFET. BUZ12 Datenblatt

 

BUZ12 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: BUZ12

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 50 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 42 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Anstiegszeit (tr): 85 nS

Drain-Kapazität (Cd): 800 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.028 Ohm

Transistorgehäuse: TO-220

Ersatz (vergleichstyp) für BUZ12 Transistor

 

BUZ12 Datasheet (PDF)

1.1. buz12a.pdf Size:117K _update_mosfet

BUZ12
BUZ12

BUZ 12 A Not for new design SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 12 A 50 V 42 A 0.035 Ω TO-220 AB C67078-S1331-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 44 °C 42 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 168 Avalanche curre

1.2. buz12.pdf Size:109K _update_mosfet

BUZ12
BUZ12

BUZ12 SIPMOS® POWER TRANSISTORS FEATURE • Nchannel • Enhancement mode • Avalanche-rated • TO-220 envelope • Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VDS Drain-Source Voltage 50 V ID Continuous Drain Current TC= 65°C 42 IDpuls Pulsed Drain Current TC= 25°C 168 A IAR Avalanche Current, Limited by Tjmax 42 EAR Avalanche Energy, Peri

 

Anderen MOSFET... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

 
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