Alle MOSFET. BUZ12 Datenblatt

 

BUZ12 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: BUZ12

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 50 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 42 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Anstiegszeit (tr): 85 nS

Drain-Kapazität (Cd): 800 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.028 Ohm

Transistorgehäuse: TO-220

Ersatz (vergleichstyp) für BUZ12 Transistor

 

 

BUZ12 Datasheet (PDF)

1.1. buz12a.pdf Size:117K _update_mosfet

BUZ12
BUZ12

BUZ 12 A Not for new design SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 12 A 50 V 42 A 0.035 Ω TO-220 AB C67078-S1331-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 44 °C 42 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 168 Avalanche curre

1.2. buz12.pdf Size:109K _update_mosfet

BUZ12
BUZ12

BUZ12 SIPMOS® POWER TRANSISTORS FEATURE • Nchannel • Enhancement mode • Avalanche-rated • TO-220 envelope • Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VDS Drain-Source Voltage 50 V ID Continuous Drain Current TC= 65°C 42 IDpuls Pulsed Drain Current TC= 25°C 168 A IAR Avalanche Current, Limited by Tjmax 42 EAR Avalanche Energy, Peri

 

Anderen MOSFET... IRFP255 , IRFP260 , IRFP264 , IRFP330 , IRFP331 , IRFP332 , IRFP333 , IRFP340 , 2N5484 , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC .

Back to Top

 


BUZ12
  BUZ12
  BUZ12
  BUZ12
 

social 

Liste

Letztes Update

MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |

 

 

Back to Top