Alle MOSFET. BUZ12A Datenblatt

 

BUZ12A MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: BUZ12A

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 50 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 42 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Anstiegszeit (tr): 85 nS

Drain-Kapazität (Cd): 800 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.035 Ohm

Transistorgehäuse: TO-220AB

Ersatz (vergleichstyp) für BUZ12A Transistor

 

BUZ12A Datasheet (PDF)

1.1. buz12a.pdf Size:117K _update_mosfet

BUZ12A
BUZ12A

BUZ 12 A Not for new design SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 12 A 50 V 42 A 0.035 Ω TO-220 AB C67078-S1331-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 44 °C 42 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 °C 168 Avalanche curre

5.1. buz12.pdf Size:109K _update_mosfet

BUZ12A
BUZ12A

BUZ12 SIPMOS® POWER TRANSISTORS FEATURE • Nchannel • Enhancement mode • Avalanche-rated • TO-220 envelope • Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VDS Drain-Source Voltage 50 V ID Continuous Drain Current TC= 65°C 42 IDpuls Pulsed Drain Current TC= 25°C 168 A IAR Avalanche Current, Limited by Tjmax 42 EAR Avalanche Energy, Peri

Anderen MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 
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