Alle MOSFET. CHM06N5NGP Datenblatt

 

CHM06N5NGP MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: CHM06N5NGP

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 104 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 500 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 6.6 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 54 nC

Anstiegszeit (tr): 35 nS

Ausgangswiderstand RDS(on): 1 Ohm

Transistorgehäuse: D2PAK

Ersatz (vergleichstyp) für CHM06N5NGP Transistor

 

CHM06N5NGP Datasheet (PDF)

1.1. chm06n5ngp.pdf Size:107K _update_mosfet

CHM06N5NGP
CHM06N5NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM06N5NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 500 Volts CURRENT 6.6 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

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