Alle MOSFET. NVE4153N Datenblatt

 

NVE4153N MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: NVE4153N

Markierungscode: VP

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.3 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 20 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 6 V

Maximaler Drainstrom (Id): 0.915 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 1.1 V

Gate-Ladung (Qg): 1.82 nC

Anstiegszeit (tr): 4.4 nS

Drain-Kapazität (Cd): 16 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.23 Ohm

Transistorgehäuse: SC-89

Ersatz (vergleichstyp) für NVE4153N Transistor

 

 

NVE4153N Datasheet (PDF)

1.1. nva4153n nve4153n.pdf Size:67K _update_mosfet

NVE4153N
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NTA4153N, NTE4153N, NVA4153N, NVE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89 http://onsemi.com Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated 0.127 W @ 4.5 V • ESD Protected Gate 0.170 W @ 2.5 V 20 V 915 mA • NV Prefix for Automotive and Other Application

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