Alle MOSFET. NVF2201N Datenblatt

 

NVF2201N MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: NVF2201N

Markierungscode: N1

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.15 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 20 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 0.3 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 2.4 V

Gate-Ladung (Qg): 1.4 nC

Anstiegszeit (tr): 2.5 nS

Drain-Kapazität (Cd): 25 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 1 Ohm

Transistorgehäuse: SOT-323

Ersatz (vergleichstyp) für NVF2201N Transistor

 

 

NVF2201N Datasheet (PDF)

1.1. nvf2201n.pdf Size:93K _update_mosfet

NVF2201N
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MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http://onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

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