Alle MOSFET. NVF2955 Datenblatt

 

NVF2955 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: NVF2955

Markierungscode: 2955

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 2.3 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 2.6 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 14.3 nC

Anstiegszeit (tr): 7.6 nS

Drain-Kapazität (Cd): 165 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.17 Ohm

Transistorgehäuse: SOT-223

Ersatz (vergleichstyp) für NVF2955 Transistor

 

 

NVF2955 Datasheet (PDF)

1.1. nvf2955.pdf Size:108K _update_mosfet

NVF2955
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NTF2955, NVF2955 Power MOSFET -60 V, -2.6 A, Single P-Channel SOT-223 Features • Design for low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes http://onsemi.com • AEC-Q101 Qualified - NVF2955 • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX -60 V 145 mW @ -10 V -2.6 A Applications • Power Supplies P-Channel • PWM Motor

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