Alle MOSFET. NVF5P03 Datenblatt

 

NVF5P03 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: NVF5P03

Markierungscode: 5P03

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 3.13 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 30 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 5.2 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 3 V

Gate-Ladung (Qg): 15 nC

Anstiegszeit (tr): 33 nS

Drain-Kapazität (Cd): 153 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.1 Ohm

Transistorgehäuse: SOT-223

Ersatz (vergleichstyp) für NVF5P03 Transistor

 

 

NVF5P03 Datasheet (PDF)

1.1. nvf5p03.pdf Size:103K _update_mosfet

NVF5P03
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NTF5P03, NVF5P03 Power MOSFET -5.2 A, -30 V P-Channel SOT-223 http://onsemi.com Features • Ultra Low RDS(on) -5.2 AMPERES, -30 VOLTS • Higher Efficiency Extending Battery Life RDS(on) = 100 mW • Logic Level Gate Drive • Miniature SOT-223 Surface Mount Package • Avalanche Energy Specified S • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF5P03T3G • These Devices are Pb-Free

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