Alle MOSFET. SSH22N50A Datenblatt

 

SSH22N50A MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: SSH22N50A

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 278 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 500 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 30 V

Maximaler Drainstrom (Id): 22 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Gate-Source-Schwellspannung Vgs(th): 4 V

Gate-Ladung (Qg): 182 nC

Drain-Kapazität (Cd): 3940 pF

Ausgangswiderstand RDS(on): 0.25 Ohm

Transistorgehäuse: TO3P

Ersatz (vergleichstyp) für SSH22N50A Transistor

 

SSH22N50A Datasheet (PDF)

1.1. ssh22n50a.pdf Size:220K _samsung

SSH22N50A
SSH22N50A

SSH22N50A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.25 ? Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 22 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) : 0.197 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

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